达摩院-SRAM/FIP定制电路工程师-RISC V及生态

关于这个机会

 面向高性能SRAM, 基础IP或标准单元（如触发器、脉冲锁存器、逻辑触发器、特殊复杂单元等）的设计、验证及库生成。与晶圆厂开展DTCO（设计/工艺协同优化）  针对性能、功耗和面积（PPA）以及良率优化SRAM/定制电路。  开发定制版图并执行物理验证（例如，DRC、LVS）。  开展大量电路仿真，以验证SRAM的功能与性能、电气完整性及鲁棒性。  开发并改进SRAM/定制电路设计方法，包括用于设计、仿真和验证的自动化脚本。  与高性能CPU/SOC物理设计团队合作，提升产品PPA竞争力。  与产品工程师和测试工程师协作，制定测试方案并支持芯片流片。

任职要求

 微电子、集成电路、电气或计算机工程专业本科/硕士/博士学位，且具有3年以上行业经验。  具备存储器或定制电路设计经验，曾有成功交付。有CPU/GPU 设计经验者优先。  深入理解半导体器件物理及工艺技术（CMOS、FinFET等）。  精通SRAM架构，包括bitcell、读取放大器、写入驱动器以及读写控制路径。  具备丰富的时序分析、功耗分析、EMIR、可制造性设计（DFM）及margining分析经验。  熟练使用设计工具、电路仿真工具、variation分析工具及物理验证工具，如Virtuoso、HSPICE、Spectre、Finesim、Nanosim、liberate、StarRC/QRC、Calibre、波形查看器等。  熟悉库文件格式，如LEF、NLDM、CCS、LVF、GDS、LPE、CIR、CDL、SPI、PGV等。  掌握脚本语言（例如Python、Perl、TCL、make），用于设计任务的自动化处理。  具备silicon调试及根本原因分析背景。  有业界Memory Compilers使用经验者优先。  自我驱动力强，注重细节，具备出色的分析能力、沟通与表达能力，擅长跨职能协作与团队合作。

内推申请说明

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